Xie Xide

Graduada de física en la Universidad de Xiamen en 1946, Xie Xide procede de Quanzhou, provincia sureste de Fujian. En 1951, logró el doctorado en física en el MIT (Instituto de Tecnología de Massachusettes) y se permaneció allí para realizar estudios postdoctorales. Logró sucesivamente doctorados honorarios en ciencia de 12 universidades de EEUU, Gran Bretaña, Canadá, Japón y la Región Administrativa Especial de Hong Kong, así como el doctorado honorario en ingeniería de una universidad japonesa. En 1988 fue elegida miembro de la Academian de Ciencias del Tercer Mundo. Es también miembro de nacionalidad extranjera de la Academia de Artes y Ciencias de EEUU y profesora de la Universidad de Fudan. Se dedica principalmente a la enseñanza y estudios de física de semiconductor, espectro de energía en sólidos, física superficial y ha logrado éxitos importantes, además fue una de los patrocinadores y organizadores de esos estudios científicos. En la década de los años 90, se dedicó principalmente a los estudios de la superficie y el interface del semiconductor, así como del espectro de fonones de corto plazo y superenrejado. En 1980 fue elegida miembro de la Academia de Ciencias de China.