WASHINGTON, 3 may (Xinhua) -- Un equipo dirigido por la Universidad de Washington informó hoy en la revista Science una nueva forma de decodificar información utilizando magnetos con un grosor de unas cuantas capas de átomos.

Los hallazgos podrían revolucionar las tecnologías de computación en la nube y los electrónicos de consumo al permitir almacenar datos con mayor densidad y eficiencia energética.

Los investigadores utilizaron pilas de materiales ultradelgados para ejercer un control sin precedentes del flujo de electrones con base en la dirección de su espín. Los "espines" electrónicos son análogos a los diminutos magnetos subatómicos.

Los materiales que utilizaron incluyen hojas de triyoduro de cromo, un material descrito en 2017 como el primer aislante magnético 2D.

Cuatro hojas han creado el sistema más delgado que puede bloquear electrones con base en su espín mientras ejerce un control diez veces más fuerte que otros métodos.

"Nuestro trabajo revela la posibilidad de impulsar el almacenamiento de información con base en tecnologías magnéticas hasta el límite de capas atómicas", dijo Song Tiancheng, estudiante de doctorado de física de la Universidad de Washington, uno de los autores del estudio.

Los investigadores pusieron dos capas de triyoduro de cromo entre hojas de conducción de grafeno y mostraron que, dependiendo de la forma en la que los espines se alinean entre las hojas de triyoduro de cromo, los electrones pueden flojar sin obstáculos entre las dos hojas de grafeno o se puede bloquear su flujo.

Estas dos configuraciones distintas pueden actuar como los bits, es decir, como los ceros y unos del código binario de la computación cotidiana, según los investigadores.

"Las unidades funcionales de este tipo de memoria son nudos de túnel magnéticos, que son "puertas" magnéticas que pueden suprimir o permitir la corriente eléctrica dependiendo de la forma en la que se alinea su espín con el nudo", dijo Cai Xinghan, estudiante de posdoctorado de física de la Universidad de Washington y uno de los autores del estudio.

"En lugar de que las computadoras tengan sólo dos opciones para almacenar un dato, podrán tener las opciones A, B, C e incluso D y más", dijo Bevin Huang, estudiante de doctorado de física de la Universidad de Washington y uno de los autores del estudio.

"Aunque nuestro dispositivo actual requiere modestos campos magnéticos y sólo funciona a bajas temperaturas, inviable para su uso en las tecnologías actuales, el concepto del dispositivo y el principio operativo son novedosos e innovadores", dijo Xu Xiaodong, profesor de física y ciencia de materiales de la Universidad de Washington.

"Esperamos que con el control eléctrico del magnetismo y algo de ingenio, estos nudos de túnel puedan operar con un reducido campo magnético a altas temperaturas, o incluso sin necesidad de él, lo que podría cambiar el juego para las nuevas tecnologías de memorias", añadió. Fin